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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114TSATP
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTC114TSATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114TSATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114TSATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTC114Tx(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

DTC114TSATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114TSATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114TSATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114TSATP.

Produkteigenschaften DTC114TSATP DTC114TUA DTC114TUAT106 DTC114TM3T5G
Artikelnummer DTC114TSATP DTC114TUA DTC114TUAT106 DTC114TM3T5G
Hersteller Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor onsemi
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 160 @ 5mA, 10V
Leistung - max 300 mW 200 mW 200 mW 260 mW
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Supplier Device-Gehäuse SPT SOT-323 UMT3 SOT-723
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SOT-723
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA

DTC114TSATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114TSATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC114TSATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTC114Tx(A).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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