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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114WSATP
Rohm Semiconductor
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DTC114WSATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114WSATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114WSATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTC114Wx(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3650

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Anzahl

Spezifikation

DTC114WSATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114WSATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114WSATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 24 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114WSATP.

Produkteigenschaften DTC114WSATP DTC114WUAT106 DTC114YE DTC114WETL
Artikelnummer DTC114WSATP DTC114WUAT106 DTC114YE DTC114WETL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 DTC114
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - 4.7 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse SPT UMT3 SOT-523 EMT3
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Leistung - max 300 mW 200 mW 150 mW 150 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads SC-70, SOT-323 SOT-523 SC-75, SOT-416
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 24 @ 10mA, 5V 24 @ 10mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 24 @ 10mA, 5V

DTC114WSATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114WSATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC114WSATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTC114Wx(A).pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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