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Nordamerika
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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114YKAT146
Rohm Semiconductor
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DTC114YKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114YKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114YKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 629150

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Spezifikation

DTC114YKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114YKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114YKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114YKAT146.

Produkteigenschaften DTC114YKAT146 DTC114YETL DTC114YMT2L DTC114YSATP
Artikelnummer DTC114YKAT146 DTC114YETL DTC114YMT2L DTC114YSATP
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SOT-723 -
Serie - - - -
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased -
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC114 -
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 47 kOhms -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Supplier Device-Gehäuse SMT3 EMT3 VMT3 -
Leistung - max 200 mW 150 mW 150 mW -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 70 mA 70 mA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

DTC114YKAT146 Datenblatt PDF

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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