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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC114YUBTL
Rohm Semiconductor
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DTC114YUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC114YUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC114YUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1072200

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Anzahl

Spezifikation

DTC114YUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC114YUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC114YUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 70 mA  
Grundproduktnummer DTC114  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC114YUBTL.

Produkteigenschaften DTC114YUBTL DTC114YMT2L DTC115EEBTL DTC114YUA
Artikelnummer DTC114YUBTL DTC114YMT2L DTC115EEBTL DTC114YUA
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms 10 kOhms 100 kOhms 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms 47 kOhms 100 kOhms -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 70 mA 70 mA 100 mA 100 mA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode
Verpackung / Gehäuse SC-85 SOT-723 SC-89, SOT-490 SC-70, SOT-323
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 68 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Leistung - max 200 mW 150 mW 150 mW 200 mW
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTC114 DTC114 DTC115 DTC114
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse UMT3F VMT3 EMT3F (SOT-416FL) SOT-323

DTC114YUBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTC114YUBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC114YUBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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