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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC115EKAT146
Rohm Semiconductor
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DTC115EKAT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC115EKAT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC115EKAT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 687050

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Spezifikation

DTC115EKAT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC115EKAT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC115EKAT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA  
Grundproduktnummer DTC115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC115EKAT146.

Produkteigenschaften DTC115EKAT146 DTC115EET1G DTC115EM3T5G DTC115EETL
Artikelnummer DTC115EKAT146 DTC115EET1G DTC115EM3T5G DTC115EETL
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi onsemi Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 82 @ 5mA, 5V
Frequenz - Übergang 250 MHz - - 250 MHz
Leistung - max 200 mW 200 mW 260 mW 150 mW
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 SOT-723 SC-75, SOT-416
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA 100 mA 100 mA 20 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SC-75, SOT-416 SOT-723 EMT3
Grundproduktnummer DTC115 DTC115 DTC115 DTC115
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased

DTC115EKAT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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