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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC115EUAT106
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTC115EUAT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC115EUAT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC115EUAT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 792100

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Anzahl

Spezifikation

DTC115EUAT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC115EUAT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC115EUAT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA  
Grundproduktnummer DTC115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC115EUAT106.

Produkteigenschaften DTC115EUAT106 DTC115EMT2L DTC115TETL DTC115GKAT146
Artikelnummer DTC115EUAT106 DTC115EMT2L DTC115TETL DTC115GKAT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Grundproduktnummer DTC115 DTC115 DTC115 DTC115
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SOT-723 SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms 100 kOhms - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 82 @ 5mA, 5V
Leistung - max 200 mW 150 mW 150 mW 200 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 100µA, 1mA 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 mA 20 mA 100 mA 100 mA
Supplier Device-Gehäuse UMT3 VMT3 EMT3 SMT3
Serie - - - DTC115G

DTC115EUAT106 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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