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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143EUBTL
Rohm Semiconductor
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DTC143EUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143EUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143EUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 826850

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Anzahl

Spezifikation

DTC143EUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143EUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143EUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143EUBTL.

Produkteigenschaften DTC143EUBTL DTC143TET1G DTC143TETL DTC143EUBHZGTL
Artikelnummer DTC143EUBTL DTC143TET1G DTC143TETL DTC143EUBHZGTL
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 160 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Supplier Device-Gehäuse UMT3F SC-75, SOT-416 EMT3 UMT3F
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Frequenz - Übergang 250 MHz - 250 MHz 250 MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Verpackung / Gehäuse SC-85 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-85
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V -
Leistung - max 200 mW 200 mW 150 mW 200 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms - - 4.7 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 150mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA

DTC143EUBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTC143EUBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC143EUBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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