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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143TSATP
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DTC143TSATP - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143TSATP
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143TSATP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-72 Formed Leads
Datenblatt
DTC143Tx(A).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3630

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Anzahl

Spezifikation

DTC143TSATP Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143TSATP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143TSATP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SPT  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 300 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads  
Paket Tape & Box (TB)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143TSATP.

Produkteigenschaften DTC143TSATP DTC143XCA DTC143TUAT106 DTC143TMT2L
Artikelnummer DTC143TSATP DTC143XCA DTC143TUAT106 DTC143TMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Yangjie Technology Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse SPT SOT-23 UMT3 VMT3
Serie - - - -
Paket Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Leistung - max 300 mW 200 mW 200 mW 150 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA 500nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Verpackung / Gehäuse SC-72 Formed Leads TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SOT-723
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DTC143TSATP Datenblatt PDF

Laden Sie DTC143TSATP PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC143TSATP - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
DTC143Tx(A).pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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