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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143XETL
Rohm Semiconductor
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DTC143XETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143XETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143XETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 407750

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Anzahl

Spezifikation

DTC143XETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143XETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143XETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143XETL.

Produkteigenschaften DTC143XETL DTC143XSATP DTC143XMT2L DTC143XCA
Artikelnummer DTC143XETL DTC143XSATP DTC143XMT2L DTC143XCA
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Yangjie Technology
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device-Gehäuse EMT3 SPT VMT3 SOT-23
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-72 Formed Leads SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Leistung - max 150 mW 300 mW 150 mW 200 mW
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

DTC143XETL Datenblatt PDF

Laden Sie DTC143XETL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC143XETL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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