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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC143XUBTL
Rohm Semiconductor
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DTC143XUBTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC143XUBTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC143XUBTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1222900

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Anzahl

Spezifikation

DTC143XUBTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC143XUBTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC143XUBTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer DTC143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC143XUBTL.

Produkteigenschaften DTC143XUBTL DTC143ZCA DTC143ZCAT116 DTC143XSATP
Artikelnummer DTC143XUBTL DTC143ZCA DTC143ZCAT116 DTC143XSATP
Hersteller Rohm Semiconductor Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse UMT3F SOT-23 SST3 SPT
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTC143 DTC143 DTC143 DTC143
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 300 mW
Frequenz - Übergang 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Verpackung / Gehäuse SC-85 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-72 Formed Leads
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 47 kOhms 4.7 kOhms 10 kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V

DTC143XUBTL Datenblatt PDF

Laden Sie DTC143XUBTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTC143XUBTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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