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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTC363EUT106
Rohm Semiconductor
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DTC363EUT106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTC363EUT106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTC363EUT106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
DTC363EUT106.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3910

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Anzahl

Spezifikation

DTC363EUT106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTC363EUT106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTC363EUT106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 6.8 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 6.8 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer DTC363  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTC363EUT106.

Produkteigenschaften DTC363EUT106 DTC363EKT146 DTC614TKT146 DTC614TUT106
Artikelnummer DTC363EUT106 DTC363EKT146 DTC614TKT146 DTC614TUT106
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 50mA, 5V 70 @ 50mA, 5V 820 @ 50mA, 5V 820 @ 50mA, 5V
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 150 MHz 150 MHz
Supplier Device-Gehäuse UMT3 SMT3 SMT3 UMT3
Serie - - - -
Grundproduktnummer DTC363 DTC363 DTC614 DTC614
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA 80mV @ 2.5mA, 50mA 150mV @ 2.5mA, 50mA 150mV @ 2.5mA, 50mA
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 20 V 20 V 20 V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA (ICBO)
Widerstand - Emitterbasis (R2) 6.8 kOhms 6.8 kOhms - -
Widerstand - Basis (R1) 6.8 kOhms 6.8 kOhms 10 kOhms 10 kOhms

Lieferung

Lieferzeit

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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