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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD113EKT146
Rohm Semiconductor
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DTD113EKT146 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD113EKT146
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD113EKT146
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMT3 T146 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 340410

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Anzahl

Spezifikation

DTD113EKT146 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD113EKT146 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD113EKT146

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTD113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD113EKT146.

Produkteigenschaften DTD113EKT146 DTD113ZKT146 DTD114EKT146 DTD113ZUT106
Artikelnummer DTD113EKT146 DTD113ZKT146 DTD114EKT146 DTD113ZUT106
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Supplier Device-Gehäuse SMT3 SMT3 SMT3 UMT3
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms 1 kOhms 10 kOhms 1 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 33 @ 50mA, 5V 82 @ 50mA, 5V 56 @ 50mA, 5V 82 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Serie - - - -
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Grundproduktnummer DTD113 DTD113 DTD114 DTD113
Widerstand - Emitterbasis (R2) 1 kOhms 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

DTD113EKT146 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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