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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD143ECT216
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DTD143ECT216 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD143ECT216
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD143ECT216
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DTD143Ex.pdf
RoHS Status
vorrätig: 352600

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Spezifikation

DTD143ECT216 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD143ECT216 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD143ECT216

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SST3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTD143  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD143ECT216.

Produkteigenschaften DTD143ECT216 DTD143EKT146 DTD143TKT146 DTD143EKFRAT146
Artikelnummer DTD143ECT216 DTD143EKT146 DTD143TKT146 DTD143EKFRAT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Frequenz - Übergang 200 MHz 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 47 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V 100 @ 50mA, 5V 47 @ 50mA, 5V
Grundproduktnummer DTD143 DTD143 DTD143 DTD143
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 40 V 50 V
Supplier Device-Gehäuse SST3 SMT3 SMT3 SMT3
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - 4.7 kOhms
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA

DTD143ECT216 Datenblatt PDF

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Datenblätter
DTD143Ex.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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DTD143ECT216

Rohm Semiconductor
32D-DTD143ECT216

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