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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD523YETL
Rohm Semiconductor
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DTD523YETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD523YETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD523YETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTA114EEFRA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 264130

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Anzahl

Spezifikation

DTD523YETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD523YETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD523YETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 260 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DTD523  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD523YETL.

Produkteigenschaften DTD523YETL DTD713ZETL DTD513ZMGT2L DTD143TKT146
Artikelnummer DTD523YETL DTD713ZETL DTD513ZMGT2L DTD143TKT146
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 10 kOhms 10 kOhms -
Supplier Device-Gehäuse EMT3 EMT3 VMT3 SMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 140 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V 100 @ 50mA, 5V
Frequenz - Übergang 260 MHz 260 MHz 260 MHz 200 MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 200 mA 500 mA 500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V 30 V 12 V 40 V
Grundproduktnummer DTD523 DTD713 DTD513 DTD143
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 1 kOhms 1 kOhms 4.7 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 200 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Serie - - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA (ICBO)

DTD523YETL Datenblatt PDF

Laden Sie DTD523YETL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTD523YETL - Rohm Semiconductor herunter.

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Datenblätter
DTA114EEFRA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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