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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTD743EETL
Rohm Semiconductor
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DTD743EETL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTD743EETL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTD743EETL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
DTD743EE,EM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 210360

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Anzahl

Spezifikation

DTD743EETL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTD743EETL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTD743EETL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms  
Leistung - max 150 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 260 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 115 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA  
Grundproduktnummer DTD743  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTD743EETL.

Produkteigenschaften DTD743EETL DTD713ZETL DTD543ZETL DTD543EMT2L
Artikelnummer DTD743EETL DTD713ZETL DTD543ZETL DTD543EMT2L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 12 V 12 V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 100mA
Leistung - max 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SC-75, SOT-416 SOT-723
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Frequenz - Übergang 260 MHz 260 MHz 260 MHz 260 MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Supplier Device-Gehäuse EMT3 EMT3 EMT3 VMT3
Grundproduktnummer DTD743 DTD713 DTD543 DTD543
Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms 10 kOhms 47 kOhms 4.7 kOhms
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 115 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V 140 @ 100mA, 2V 115 @ 100mA, 2V
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms 1 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200 mA 200 mA 500 mA 500 mA

DTD743EETL Datenblatt PDF

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Datenblätter
DTD743EE,EM.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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