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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDTDG14GPT100
Rohm Semiconductor
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DTDG14GPT100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
DTDG14GPT100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-DTDG14GPT100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 134920

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Anzahl

Spezifikation

DTDG14GPT100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - DTDG14GPT100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - DTDG14GPT100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Leistung - max 2 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 80 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer DTDG14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor DTDG14GPT100.

Produkteigenschaften DTDG14GPT100 DTDG23YPT100 DTDF14GP DTDG14GP T100
Artikelnummer DTDG14GPT100 DTDG23YPT100 DTDF14GP DTDG14GP T100
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Grundproduktnummer DTDG14 DTDG23 - -
Leistung - max 2 W 1.5 W - -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 300 @ 500mA, 2V 300 @ 500mA, 2V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Frequenz - Übergang 80 MHz 80 MHz - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 1 A - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 22 kOhms - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA - -
Supplier Device-Gehäuse MPT3 MPT3 - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA 400mV @ 5mA, 500mA - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 60 V - -
Serie - - - -

DTDG14GPT100 Datenblatt PDF

Laden Sie DTDG14GPT100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für DTDG14GPT100 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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