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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMA4T2R
Rohm Semiconductor
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EMA4T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMA4T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMA4T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Verpackung
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Datenblatt
EMA4T2R.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 571700

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Unsere Zertifizierung

Spezifikation

EMA4T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMA4T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMA4T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT5  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) -  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMA4T2  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMA4T2R.

Produkteigenschaften EMA4T2R EMA2T2R EMA2203-50QE20GRR EMA48N03A MOS
Artikelnummer EMA4T2R EMA2T2R EMA2203-50QE20GRR EMA48N03A MOS
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor EMP EMC
Supplier Device-Gehäuse EMT5 EMT5 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) - 47kOhms - -
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead - -
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - -
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) - 500nA - -
Grundproduktnummer EMA4T2 EMA2T2 - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V 68 @ 5mA, 5V - -
Leistung - max 150mW 150mW - -
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms 47kOhms - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA - -

EMA4T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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