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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMB10T2R
EMB10T2R Image
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EMB10T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMB10T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMB10T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMB10T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 290450

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Anzahl

Spezifikation

EMB10T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMB10T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMB10T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMB10T2R.

Produkteigenschaften EMB10T2R EMB11T2R EMB12K03U EMB09N03HS
Artikelnummer EMB10T2R EMB11T2R EMB12K03U EMB09N03HS
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor EMC EMC
Frequenz - Übergang 250MHz 250MHz - -
Grundproduktnummer EMB10 EMB11 - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100mA - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms 10kOhms - -
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 20 @ 5mA, 5V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 10mA - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 10kOhms - -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 EMT6 - -
Leistung - max 150mW 150mW - -
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 - -

EMB10T2R Datenblatt PDF

Laden Sie EMB10T2R PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für EMB10T2R - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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EMB10T2R

Rohm Semiconductor
32D-EMB10T2R

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