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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMB9T2R
EMB9T2R Image
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EMB9T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMB9T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMB9T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMB9, UMB9N, IMB9A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 317610

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Anzahl

Spezifikation

EMB9T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMB9T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMB9T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer EMB9T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMB9T2R.

Produkteigenschaften EMB9T2R EMB90P06C EMB9G8T2R EMBA0N10G
Artikelnummer EMB9T2R EMB90P06C EMB9G8T2R EMBA0N10G
Hersteller Rohm Semiconductor EMC LAPIS Technology EMC
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms - - -
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Frequenz - Übergang 250MHz - - -
Leistung - max 150mW - - -
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms - - -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 - - -
Serie - - - -
Grundproduktnummer EMB9T2 - - -

EMB9T2R Datenblatt PDF

Laden Sie EMB9T2R PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für EMB9T2R - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
EMB9, UMB9N, IMB9A.pdf

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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EMB9T2R Image

EMB9T2R

Rohm Semiconductor
32D-EMB9T2R

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