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EMF5T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMF5T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMF5T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMF5T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 239620

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Anzahl

Spezifikation

EMF5T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMF5T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMF5T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 12V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA  
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 150mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA, 500mA  
Grundproduktnummer EMF5T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMF5T2R.

Produkteigenschaften EMF5T2R EMF5XV6T5 EMF5XV6T5G EMF60P02K
Artikelnummer EMF5T2R EMF5XV6T5 EMF5XV6T5G EMF60P02K
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi onsemi EMC
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA -
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms 47kOhms 47kOhms -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA -
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 12V 50V, 12V 50V, 12V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Grundproduktnummer EMF5T2 EMF5XV EMF5XV6 -
Supplier Device-Gehäuse EMT6 SOT-563 SOT-563 -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA, 500mA 100mA, 500mA 100mA, 500mA -
Serie - - - -
Leistung - max 150mW 500mW 500mW -
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms 47kOhms 47kOhms -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V -

EMF5T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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