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EMZ1T2R Image
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EMZ1T2R - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
EMZ1T2R
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-EMZ1T2R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
EMZ1T2R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 334420

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Anzahl

Spezifikation

EMZ1T2R Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - EMZ1T2R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - EMZ1T2R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN, PNP  
Supplier Device-Gehäuse EMT6  
Serie -  
Leistung - max 150mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 180MHz, 140MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150mA  
Grundproduktnummer EMZ1T2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor EMZ1T2R.

Produkteigenschaften EMZ1T2R EMZ1DXV6T1 EMZ2T2R EMZ7T2R
Artikelnummer EMZ1T2R EMZ1DXV6T1 EMZ2T2R EMZ7T2R
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer EMZ1T2 EMZ1 EMZ2T2 EMZ7T2
Leistung - max 150mW 500mW 150mW 150mW
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz, 140MHz 180MHz, 140MHz 180MHz, 140MHz 320MHz, 260MHz
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 150mA 100mA 150mA 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 60V 50V 12V
Transistor-Typ NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 10mA, 200mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 270 @ 10mA, 2V
Supplier Device-Gehäuse EMT6 SOT-563 EMT6 EMT6

EMZ1T2R Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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