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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysIMT18T110
Rohm Semiconductor
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IMT18T110 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
IMT18T110
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-IMT18T110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-74, SOT-457
Datenblatt
SMT6 T110 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 278260

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Anzahl

Spezifikation

IMT18T110 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - IMT18T110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - IMT18T110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA  
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse SMT6  
Serie -  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 260MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 10mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA  
Grundproduktnummer IMT18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor IMT18T110.

Produkteigenschaften IMT18T110 IMT1AT110 IMT1AT108 IMT17T110
Artikelnummer IMT18T110 IMT1AT110 IMT1AT108 IMT17T110
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457 SC-74, SOT-457
Leistung - max 300mW 300mW 300mW 300mW
Supplier Device-Gehäuse SMT6 SMT6 SMT6 SMT6
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12V 50V 50V 50V
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 10mA, 2V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 100mA, 3V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 260MHz 140MHz 140MHz 200MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA 150mA 150mA 500mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Grundproduktnummer IMT18 IMT1 IMT1 MT17
Serie - - - -

IMT18T110 Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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