Spezifikation
QH8MA2TCR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QH8MA2TCR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QH8MA2TCR
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TSMT8 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
35mOhm @ 4.5A, 10V |
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| Leistung - max |
1.25W |
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| Verpackung / Gehäuse |
8-SMD, Flat Lead |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
365pF @ 10V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
8.4nC @ 10V |
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| FET-Merkmal |
Logic Level Gate |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
4.5A, 3A |
|
| Konfiguration |
N and P-Channel |
|
| Grundproduktnummer |
QH8MA2 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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QH81257TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
QH8MC5TCR-ELAPIS Technology
SI4944DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
UP0487800LPanasonic Electronic ComponentsMOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P
QH8-8911STMicroelectronics
PMDPB70EN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
DMN5L06VA-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
DMN3055LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6