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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysQS5K2TR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

QS5K2TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QS5K2TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QS5K2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QS5K2TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 162150

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Anzahl

Spezifikation

QS5K2TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QS5K2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QS5K2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source  
Grundproduktnummer QS5K2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QS5K2TR.

Produkteigenschaften QS5K2TR QS5U12 QS5U12TR QS5920APA
Artikelnummer QS5K2TR QS5U12 QS5U12TR QS5920APA
Hersteller Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor QS
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
FET-Merkmal Logic Level Gate - Schottky Diode (Isolated) -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A - 2A (Ta) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V - 30 V -
Leistung - max 1.25W - - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V - 3.9 nC @ 4.5 V -
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 - TSMT5 -
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Grundproduktnummer QS5K2 - QS5U12 -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Source - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA - 1.5V @ 1mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V - 100mOhm @ 2A, 4.5V -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 - SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V - 175 pF @ 10 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -

QS5K2TR Datenblatt PDF

Laden Sie QS5K2TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für QS5K2TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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