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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysQSZ4TR
Rohm Semiconductor
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QSZ4TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
QSZ4TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-QSZ4TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
Verpackung
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Datenblatt
QSZ4TR.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 192630

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Spezifikation

QSZ4TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - QSZ4TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - QSZ4TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A  
Transistor-Typ NPN, PNP (Emitter Coupled)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT5  
Serie -  
Leistung - max 500mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 280MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 200mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2A  
Grundproduktnummer QSZ4  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor QSZ4TR.

Produkteigenschaften QSZ4TR IMX17T108 DMC501010R IMT2AT108
Artikelnummer QSZ4TR IMX17T108 DMC501010R IMT2AT108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Panasonic Electronic Components Rohm Semiconductor
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100µA 100nA (ICBO)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TSMT5 SMT6 SMini5-F3-B SMT6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A 600mV @ 50mA, 500mA 300mV @ 10mA, 100mA 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN, PNP (Emitter Coupled) 2 NPN (Dual) 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 280MHz 250MHz 150MHz 140MHz
Verpackung / Gehäuse SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SC-74, SOT-457 5-SMD, Flat Leads SC-74, SOT-457
Leistung - max 500mW 300mW 150mW 300mW
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 270 @ 200mA, 2V 120 @ 100mA, 3V 210 @ 2mA, 10V 120 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2A 500mA 100mA 150mA
Grundproduktnummer QSZ4 IMX17 DMC50101 IMT2
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30V 50V 50V 50V
Serie - - - -

QSZ4TR Datenblatt PDF

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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