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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR6015KNX
R6015KNX Image
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R6015KNX - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
R6015KNX
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-R6015KNX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
R6015KNX.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46280

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Anzahl

Spezifikation

R6015KNX Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - R6015KNX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - R6015KNX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer R6015  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor R6015KNX.

Produkteigenschaften R6015KNX R6018JNJGTL R6015ANX R6018JNXC7G
Artikelnummer R6015KNX R6018JNJGTL R6015ANX R6018JNXC7G
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 18A (Tc) 15A (Ta) 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 15V 10V 15V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 7V @ 4.2mA 4.5V @ 1mA 7V @ 4.2mA
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM LPTS TO-220FM TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V 42 nC @ 15 V 50 nC @ 10 V 42 nC @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V 286mOhm @ 9A, 15V 300mOhm @ 7.5A, 10V 286mOhm @ 9A, 15V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 1300 pF @ 100 V 1700 pF @ 25 V 1300 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 220W (Tc) 50W (Tc) 72W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer R6015 R6018 R6015 R6018

R6015KNX Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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