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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR6020ANZC8
Rohm Semiconductor
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R6020ANZC8 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
R6020ANZC8
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-R6020ANZC8
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt
R6020ANZC8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3710

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Anzahl

Spezifikation

R6020ANZC8 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - R6020ANZC8 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - R6020ANZC8

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 4.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor R6020ANZC8.

Produkteigenschaften R6020ANZC8 R6020ENX R6020KNJTL R6020JNZC8
Artikelnummer R6020ANZC8 R6020ENX R6020KNJTL R6020JNZC8
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 4.15V @ 1mA 4V @ 1mA 5V @ 1mA 7V @ 3.5mA
Serie - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-3P-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 15V
Verlustleistung (max) 120W (Tc) 50W (Tc) 231W (Tc) 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V 196mOhm @ 10A, 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 234mOhm @ 10A, 15V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 45 nC @ 15 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Ta) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-3PF TO-220FM LPTS TO-3PF
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1550 pF @ 25 V 1500 pF @ 100 V

R6020ANZC8 Datenblatt PDF

Laden Sie R6020ANZC8 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für R6020ANZC8 - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf R6xxxxNZC8 03/Dec/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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