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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR6024KNX
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R6024KNX - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
R6024KNX
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-R6024KNX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
R6024KNX.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36302

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Anzahl

Spezifikation

R6024KNX Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - R6024KNX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - R6024KNX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 74W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer R6024  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor R6024KNX.

Produkteigenschaften R6024KNX R6020JNXC7G R6020KNJTL R6025JNZ4C13
Artikelnummer R6024KNX R6020JNXC7G R6020KNJTL R6025JNZ4C13
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Verlustleistung (max) 74W (Tc) 76W (Tc) 231W (Tc) 306W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 15V 10V 15V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 25A (Tc)
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Grundproduktnummer R6024 R6020 R6020 R6025
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 45 nC @ 15 V 40 nC @ 10 V 57 nC @ 15 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 25 V 1500 pF @ 100 V 1550 pF @ 25 V 1900 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FM TO-220FM LPTS TO-247G
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11.3A, 10V 234mOhm @ 10A, 15V 196mOhm @ 9.5A, 10V 182mOhm @ 12.5A, 15V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 7V @ 3.5mA 5V @ 1mA 7V @ 4.5mA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-247-3
FET-Merkmal - - - -

R6024KNX Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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