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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelR8007AND3FRATL
R8007AND3FRATL Image
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R8007AND3FRATL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
R8007AND3FRATL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-R8007AND3FRATL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 7A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
R8007AND3FRATL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10858

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Spezifikation

R8007AND3FRATL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - R8007AND3FRATL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - R8007AND3FRATL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer R8007  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor R8007AND3FRATL.

Produkteigenschaften R8007AND3FRATL R8010ANX R8008ANX R8005ANX
Artikelnummer R8007AND3FRATL R8010ANX R8008ANX R8005ANX
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 10A (Tc) 8A (Ta) 5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TO-252 TO-220FM TO-220FM TO-220FM
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 1750 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 3.5A, 10V 560mOhm @ 5A, 10V 1.03Ohm @ 4A, 10V 2.08Ohm @ 2.5A, 10V
Grundproduktnummer R8007 R8010 R8008 R8005
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 40W (Tc) 50W (Tc) 40W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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