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RB228NS100FHTL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RB228NS100FHTL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RB228NS100FHTL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE (RECTIFIER FRD) 100V-VR 30
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
RB228NS100FHTL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 51150

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Anzahl

Spezifikation

RB228NS100FHTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RB228NS100FHTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RB228NS100FHTL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 870 mV @ 5 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse LPDS  
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 8.2 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max)  
Befestigungsart Surface Mount  
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 100 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 30A  
Grundproduktnummer RB228  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RB228NS100FHTL.

Produkteigenschaften RB228NS100FHTL RB225T-60 RB225T100 RB225NS-40FHTL
Artikelnummer RB228NS100FHTL RB225T-60 RB225T100 RB225NS-40FHTL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 8.2 ns - - 27.4 ns
Grundproduktnummer RB228 RB225 RB225 RB225
Supplier Device-Gehäuse LPDS TO-220FN TO-220FN LPDS
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 870 mV @ 5 A 630 mV @ 15 A 860 mV @ 15 A 630 mV @ 15 A
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 30A 15A 15A 30A
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur - Anschluss 150°C (Max) 150°C (Max) 150°C (Max) 150°C (Max)
Technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 5 µA @ 100 V 600 µA @ 60 V 400 µA @ 100 V 500 µA @ 40 V
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Spannung - Sperr (Vr) (max) 100 V 60 V 110 V 40 V

RB228NS100FHTL Datenblatt PDF

Laden Sie RB228NS100FHTL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RB228NS100FHTL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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