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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-ArraysRB530XNTR
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RB530XNTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RB530XNTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RB530XNTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V UMD6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
UMD6 TR Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 198530

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Anzahl

Spezifikation

RB530XNTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RB530XNTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RB530XNTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 530 mV @ 100 mA  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V  
Technologie Schottky  
Supplier Device-Gehäuse UMD6  
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur - Anschluss 125°C (Max)  
Befestigungsart Surface Mount  
Diodenkonfiguration 3 Independent  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 10 V  
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100mA  
Grundproduktnummer RB530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RB530XNTR.

Produkteigenschaften RB530XNTR RB530VM-30TE-17 RB531SM-30T2R RB530VM-40
Artikelnummer RB530XNTR RB530VM-30TE-17 RB531SM-30T2R RB530VM-40
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 530 mV @ 100 mA 450 mV @ 10 mA 350 mV @ 10 mA -
Grundproduktnummer RB530 RB530 RB531 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Diodenkonfiguration 3 Independent - - -
Spannung - Sperr (Vr) (max) 30 V 30 V 30 V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 µA @ 10 V 500 nA @ 10 V 10 µA @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-90, SOD-323F SC-79, SOD-523 -
Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100mA - - -
Supplier Device-Gehäuse UMD6 UMD2 EMD2 -
Technologie Schottky Schottky Schottky -
Serie - - - -
Betriebstemperatur - Anschluss 125°C (Max) 150°C (Max) 125°C (Max) -

RB530XNTR Datenblatt PDF

Laden Sie RB530XNTR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RB530XNTR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RB530XNTR

Rohm Semiconductor
32D-RB530XNTR

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