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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRCD040N25TL
RCD040N25TL Image
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RCD040N25TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RCD040N25TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RCD040N25TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
RCD040N25.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4920

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Anzahl

Spezifikation

RCD040N25TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RCD040N25TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RCD040N25TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse CPT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer RCD040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RCD040N25TL.

Produkteigenschaften RCD040N25TL RCD075N20TL RCD050N20TL RCD051N20TL
Artikelnummer RCD040N25TL RCD075N20TL RCD050N20TL RCD051N20TL
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 200 V 200 V 200 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) 20W (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 325mOhm @ 3.75A, 10V 618mOhm @ 2.5A, 10V 760mOhm @ 2.5A, 10V
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse CPT3 CPT3 CPT3 CPT3
Grundproduktnummer RCD040 RCD075 RCD050 RCD051
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 7.5A (Tc) 5A (Ta) 5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id - 5.25V @ 1mA 5.25V @ 1mA 5.25V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -

RCD040N25TL Datenblatt PDF

Laden Sie RCD040N25TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RCD040N25TL - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
RCD040N25.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
RCD040N25 Series OBS 7/Jul/2015.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Rohm Semiconductor
32D-RCD040N25TL

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