Spezifikation
RGT8BM65DTL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RGT8BM65DTL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RGT8BM65DTL
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
LAPIS Technology |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
650 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.1V @ 15V, 4A |
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| Testbedingung |
400V, 4A, 50Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
17ns/69ns |
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| Schaltenergie |
- |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-252 |
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| Serie |
- |
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| Rückwärts-Erholzeit (Trr) |
40 ns |
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| Leistung - max |
62 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Betriebstemperatur |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
Trench Field Stop |
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| Gate-Ladung |
13.5 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
12 A |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
8 A |
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| Grundproduktnummer |
RGT8BM65 |
|
Lieferung
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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STGW40NC60VSTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 260W TO247
AOTF10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.IGBT 600V 20A 42W TO220F
STGP35HF60WSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W TO220
HGTG20N60A4DonsemiIGBT 600V 70A 290W TO247
IXGK120N60C2IXYSIGBT 600V 75A 830W TO264