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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRHU003N03T106
Rohm Semiconductor
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RHU003N03T106 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RHU003N03T106
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RHU003N03T106
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
RHU003N03.pdf
RoHS Status
vorrätig: 469550

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Spezifikation

RHU003N03T106 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RHU003N03T106 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RHU003N03T106

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 300mA, 10V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA (Ta)  
Grundproduktnummer RHU003  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RHU003N03T106.

Produkteigenschaften RHU003N03T106 FDD3570 AUIRFR3806TRL AO4566
Artikelnummer RHU003N03T106 FDD3570 AUIRFR3806TRL AO4566
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300mA (Ta) 10A (Ta) 43A (Tc) 12A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20 pF @ 10 V 2800 pF @ 40 V 1150 pF @ 50 V 542 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 6V, 10V 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - PowerTrench® HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 300mA, 10V 20mOhm @ 10A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse UMT3 TO-252AA D-PAK (TO-252AA) 8-SOIC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer RHU003 FDD357 AUIRFR3806 AO45
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 60 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 250µA 4V @ 50µA 2.3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) 3.4W (Ta), 69W (Tc) 71W (Tc) 2.5W (Ta)

RHU003N03T106 Datenblatt PDF

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Datenblätter
RHU003N03.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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