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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRJP020N06T100
Rohm Semiconductor
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RJP020N06T100 - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RJP020N06T100
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RJP020N06T100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 64470

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Anzahl

Spezifikation

RJP020N06T100 Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RJP020N06T100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RJP020N06T100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MPT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer RJP020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RJP020N06T100.

Produkteigenschaften RJP020N06T100 RJP3043D RJP2557 RJP3034DPP
Artikelnummer RJP020N06T100 RJP3043D RJP2557 RJP3034DPP
Hersteller Rohm Semiconductor Renesas Electronics Corporation Renesas Electronics Corporation
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 2A, 4.5V - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Supplier Device-Gehäuse MPT3 - - -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - - -
Typ FET N-Channel - - -
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer RJP020 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4 V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -

RJP020N06T100 Datenblatt PDF

Laden Sie RJP020N06T100 PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RJP020N06T100 - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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