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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRQ5C060BCTCL
Rohm Semiconductor
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RQ5C060BCTCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RQ5C060BCTCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RQ5C060BCTCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-96
Datenblatt
RQ5C060BCTCL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 110440

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Anzahl

Spezifikation

RQ5C060BCTCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RQ5C060BCTCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RQ5C060BCTCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.1mOhm @ 6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-96  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)  
Grundproduktnummer RQ5C060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RQ5C060BCTCL.

Produkteigenschaften RQ5C060BCTCL RQ5RW18BA-TR-F RQ5RW19BA-TR-FA RQ5RW25BA-TR
Artikelnummer RQ5C060BCTCL RQ5RW18BA-TR-F RQ5RW19BA-TR-FA RQ5RW25BA-TR
Hersteller Rohm Semiconductor RICOH RICOH RICOH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 4.5 V - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 10 V - - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SC-96 - - -
Grundproduktnummer RQ5C060 - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.1mOhm @ 6A, 4.5V - - -
Vgs (Max) ±8V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Ta) - - -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Typ FET P-Channel - - -
Supplier Device-Gehäuse TSMT3 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Verlustleistung (max) 1W (Tc) - - -

RQ5C060BCTCL Datenblatt PDF

Laden Sie RQ5C060BCTCL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RQ5C060BCTCL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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