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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRRR030P03TL
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RRR030P03TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RRR030P03TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RRR030P03TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-96
Datenblatt
RRR030P03TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 150680

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Spezifikation

RRR030P03TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RRR030P03TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RRR030P03TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-96  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta)  
Grundproduktnummer RRR030  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RRR030P03TL.

Produkteigenschaften RRR030P03TL IXFP16N50P FQP65N06 FQPF10N20C
Artikelnummer RRR030P03TL IXFP16N50P FQP65N06 FQPF10N20C
Hersteller Rohm Semiconductor IXYS onsemi onsemi
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 300W (Tc) 150W (Tc) 38W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SC-96 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 5.5V @ 2.5mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V 2250 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 500 V 60 V 200 V
Grundproduktnummer RRR030 IXFP16 FQP65 FQPF10
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 16mOhm @ 32.5A, 10V 360mOhm @ 4.75A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Ta) 16A (Tc) 65A (Tc) 9.5A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HiPerFET™, Polar QFET® QFET®
Supplier Device-Gehäuse TSMT3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V 43 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±30V

RRR030P03TL Datenblatt PDF

Laden Sie RRR030P03TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RRR030P03TL - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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