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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRSE002P03TL
Rohm Semiconductor
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RSE002P03TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSE002P03TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSE002P03TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 200MA EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
RSE002P03TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 213740

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Spezifikation

RSE002P03TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSE002P03TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSE002P03TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RSE002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSE002P03TL.

Produkteigenschaften RSE002P03TL SI2347DS-T1-GE3 IRF3706LPBF IPW65R280E6
Artikelnummer RSE002P03TL SI2347DS-T1-GE3 IRF3706LPBF IPW65R280E6
Hersteller Rohm Semiconductor Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 2.8V, 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 3.5V @ 440µA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-247-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 1.7W (Tc) 88W (Tc) 104W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse EMT3 SOT-23-3 (TO-236) TO-262 PG-TO247-3-41
Serie - TrenchFET® HEXFET® CoolMOS™
Grundproduktnummer RSE002 SI2347 - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 5A (Tc) 77A (Tc) 13.8A (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V 42mOhm @ 3.8A, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 650 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 705 pF @ 15 V 2410 pF @ 10 V 950 pF @ 100 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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