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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRSM002P03T2L
Rohm Semiconductor
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RSM002P03T2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSM002P03T2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSM002P03T2L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
RSM002P03T2L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 196610

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Anzahl

Spezifikation

RSM002P03T2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSM002P03T2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSM002P03T2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RSM002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSM002P03T2L.

Produkteigenschaften RSM002P03T2L RSM002N06T2L RSM2339A RSM2108
Artikelnummer RSM002P03T2L RSM002N06T2L RSM2339A RSM2108
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor RACE RSM
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Supplier Device-Gehäuse VMT3 VMT3 - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 2.5V, 10V - -
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 15 pF @ 25 V - -
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.3V @ 1mA - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V 2.4Ohm @ 250mA, 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) 250mA (Ta) - -
Typ FET P-Channel N-Channel - -
Grundproduktnummer RSM002 RSM002 - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SOT-723 - -

RSM002P03T2L Datenblatt PDF

Laden Sie RSM002P03T2L PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RSM002P03T2L - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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