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RSS090P03FU6TB - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RSS090P03FU6TB
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RSS090P03FU6TB
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
RSS090P03FU6TB.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4790

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Spezifikation

RSS090P03FU6TB Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RSS090P03FU6TB Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RSS090P03FU6TB

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)  
Grundproduktnummer RSS090  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RSS090P03FU6TB.

Produkteigenschaften RSS090P03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB RSS090N03FU6TB
Artikelnummer RSS090P03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB RSS090N03FU6TB
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta) 9.5A (Ta) 9A (Ta) 9A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 5 V 26.5 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 15mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer RSS090 RSS095 RSS090 RSS090
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V 1830 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 45 V 30 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V 20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

RSS090P03FU6TB Datenblatt PDF

Laden Sie RSS090P03FU6TB PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RSS090P03FU6TB - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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