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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRT1A050ZPTR
Rohm Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RT1A050ZPTR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RT1A050ZPTR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RT1A050ZPTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SMD, Flat Lead
Datenblatt
RT1A050ZP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 95650

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Anzahl

Spezifikation

RT1A050ZPTR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RT1A050ZPTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RT1A050ZPTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 600mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta)  
Grundproduktnummer RT1A050  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RT1A050ZPTR.

Produkteigenschaften RT1A050ZPTR RT1N136U-T111-1 RT1A060AP RT1A3906-T112-1
Artikelnummer RT1A050ZPTR RT1N136U-T111-1 RT1A060AP RT1A3906-T112-1
Hersteller Rohm Semiconductor ISAHAYA LAPIS Technology ISAHAYA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 6 V - - -
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-TSST - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Ta) - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Grundproduktnummer RT1A050 - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - - -
Verlustleistung (max) 600mW (Ta) - - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SMD, Flat Lead - - -
Vgs (Max) ±10V - - -
Paket Tape & Reel (TR) - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V - - -
Typ FET P-Channel - - -

RT1A050ZPTR Datenblatt PDF

Laden Sie RT1A050ZPTR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RT1A050ZPTR - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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