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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRTE002P02TL
Rohm Semiconductor
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RTE002P02TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RTE002P02TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RTE002P02TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
RTE002P02.pdf
RoHS Status
vorrätig: 312890

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Anzahl

Spezifikation

RTE002P02TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RTE002P02TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RTE002P02TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse EMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RTE002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RTE002P02TL.

Produkteigenschaften RTE002P02TL RTE24005 RTE0400N04 RTE1002G14
Artikelnummer RTE002P02TL RTE24005 RTE0400N04 RTE1002G14
Hersteller Rohm Semiconductor TE Connectivity Potter & Brumfield Relays C&K C&K
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA - - -
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 - - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) - - -
Serie - RT2, SCHRACK RTE RTE
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V - - -
Typ FET P-Channel - - -
Supplier Device-Gehäuse EMT3 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - - -
Grundproduktnummer RTE002 RTE24 RTE0400N RTE1002G
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Box Tube Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -40°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C

RTE002P02TL Datenblatt PDF

Laden Sie RTE002P02TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RTE002P02TL - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
RTE002P02.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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