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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRTL020P02TR
Rohm Semiconductor
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RTL020P02TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RTL020P02TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RTL020P02TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RTL020P02.pdf
RoHS Status
vorrätig: 141170

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Anzahl

Spezifikation

RTL020P02TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RTL020P02TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RTL020P02TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TUMT6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta)  
Grundproduktnummer RTL020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RTL020P02TR.

Produkteigenschaften RTL020P02TR RTL030P02TR RTL035N03TR RTL2810-GR
Artikelnummer RTL020P02TR RTL030P02TR RTL035N03TR RTL2810-GR
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor REALTEK
Grundproduktnummer RTL020 RTL030 RTL035 -
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) -
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel -
Supplier Device-Gehäuse TUMT6 TUMT6 TUMT6 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Ta) 3A (Ta) 3.5A (Ta) -
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430 pF @ 10 V 760 pF @ 10 V 350 pF @ 10 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V 6.4 nC @ 4.5 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 2A, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V 56mOhm @ 3.5A, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -

RTL020P02TR Datenblatt PDF

Laden Sie RTL020P02TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RTL020P02TR - Rohm Semiconductor herunter.

Datenblätter
RTL020P02.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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