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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRTQ045N03TR
Rohm Semiconductor
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RTQ045N03TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RTQ045N03TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RTQ045N03TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
RTQ045N03TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 140190

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Spezifikation

RTQ045N03TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RTQ045N03TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RTQ045N03TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RTQ045  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RTQ045N03TR.

Produkteigenschaften RTQ045N03TR RTQ040P02TR RTQ035P02TR RTQ2516GSP-QT
Artikelnummer RTQ045N03TR RTQ040P02TR RTQ035P02TR RTQ2516GSP-QT
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Richtek USA Inc.
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Grundproduktnummer RTQ045 RTQ040 RTQ035 -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Ta) 4A (Ta) 3.5A (Ta) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V 12.2 nC @ 4.5 V 10.5 nC @ 4.5 V -
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 10 V 1350 pF @ 10 V 1200 pF @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) 8-SOP-EP
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V 65mOhm @ 3.5A, 4.5V -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -

RTQ045N03TR Datenblatt PDF

Laden Sie RTQ045N03TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RTQ045N03TR - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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