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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRTR040N03TL
Rohm Semiconductor
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RTR040N03TL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RTR040N03TL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RTR040N03TL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-96
Datenblatt
RTR040N03TL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 251180

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Anzahl

Spezifikation

RTR040N03TL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RTR040N03TL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RTR040N03TL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-96  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer RTR040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RTR040N03TL.

Produkteigenschaften RTR040N03TL RTR030P02TL RTR030P02HZGTL RTR030P02TL MOS
Artikelnummer RTR040N03TL RTR030P02TL RTR030P02HZGTL RTR030P02TL MOS
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Grundproduktnummer RTR040 RTR030 RTR030 -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4A, 4.5V 75mOhm @ 3A, 4.5V 75mOhm @ 3A, 4.5V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 34µA -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V -
Verpackung / Gehäuse SC-96 SC-96 SC-96 -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 700mW (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 475 pF @ 10 V 840 pF @ 10 V 840 pF @ 10 V -
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Supplier Device-Gehäuse TSMT3 TSMT3 TSMT3 -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta) -

RTR040N03TL Datenblatt PDF

Laden Sie RTR040N03TL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RTR040N03TL - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Design/Spezifikation
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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