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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRU1J002YNTCL
Rohm Semiconductor
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RU1J002YNTCL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RU1J002YNTCL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RU1J002YNTCL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-85
Datenblatt
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
RoHS Status
vorrätig: 568050

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Anzahl

Spezifikation

RU1J002YNTCL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RU1J002YNTCL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RU1J002YNTCL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse UMT3F  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-85  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta)  
Grundproduktnummer RU1J002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RU1J002YNTCL.

Produkteigenschaften RU1J002YNTCL RU1L002SNMGTL RU1L002SNTL RU1HL8L
Artikelnummer RU1J002YNTCL RU1L002SNMGTL RU1L002SNTL RU1HL8L
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor RUICHIPS
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V - 2.4Ohm @ 250mA, 10V -
Grundproduktnummer RU1J002 - RU1L002 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA (Ta) - 250mA (Ta) -
Typ FET N-Channel - N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V - 15 pF @ 25 V -
Supplier Device-Gehäuse UMT3F - UMT3F -
VGS (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA - 2.3V @ 1mA -
Vgs (Max) ±8V - ±20V -
Serie - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V - 2.5V, 10V -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) - 200mW (Ta) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V - 60 V -
Verpackung / Gehäuse SC-85 - SC-85 -
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -

RU1J002YNTCL Datenblatt PDF

Laden Sie RU1J002YNTCL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RU1J002YNTCL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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