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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRUM001L02T2CL
Rohm Semiconductor
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RUM001L02T2CL - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RUM001L02T2CL
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RUM001L02T2CL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-723
Datenblatt
RUM001L02T2CL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 407950

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Anzahl

Spezifikation

RUM001L02T2CL Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RUM001L02T2CL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RUM001L02T2CL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VMT3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-723  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RUM001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RUM001L02T2CL.

Produkteigenschaften RUM001L02T2CL RUM002N02T2L RUM001L02 RUM001L02T2CL MOS
Artikelnummer RUM001L02T2CL RUM002N02T2L RUM001L02 RUM001L02T2CL MOS
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Grundproduktnummer RUM001 RUM002 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 1mA - -
Vgs (Max) ±8V ±8V - -
Supplier Device-Gehäuse VMT3 VMT3 - -
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-723 SOT-723 - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - -
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.1 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V - -

RUM001L02T2CL Datenblatt PDF

Laden Sie RUM001L02T2CL PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RUM001L02T2CL - Rohm Semiconductor herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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