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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRV1C001ZPT2L
Rohm Semiconductor
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RV1C001ZPT2L - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RV1C001ZPT2L
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RV1C001ZPT2L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-SMD, No Lead
Datenblatt
RV1C001ZPT2L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 609750

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Anzahl

Spezifikation

RV1C001ZPT2L Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RV1C001ZPT2L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse VML0806  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Verlustleistung (max) 100mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, No Lead  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta)  
Grundproduktnummer RV1C001  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RV1C001ZPT2L.

Produkteigenschaften RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
Artikelnummer RV1C001ZPT2L FQA65N20 FDT461N RV1C002UNT2CL
Hersteller Rohm Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Rohm Semiconductor
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 100µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100mA (Ta) 65A (Tc) 540mA (Ta) 150mA (Ta)
Supplier Device-Gehäuse VML0806 TO-3PN SOT-223-4 VML0806
Verpackung / Gehäuse 3-SMD, No Lead TO-3P-3, SC-65-3 TO-261-4, TO-261AA 3-SMD, No Lead
Vgs (Max) ±10V ±30V ±20V ±8V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 7900 pF @ 25 V 74 pF @ 25 V 12 pF @ 10 V
Serie - QFET® PowerTrench® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 100mW (Ta) 310W (Tc) 1.13W (Ta) 100mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 200 V 100 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 32mOhm @ 32.5A, 10V 2Ohm @ 540mA, 10V 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 1.2V, 4.5V
Grundproduktnummer RV1C001 - - RV1C002
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RV1C001ZPT2L Datenblatt PDF

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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