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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRVQ040N05TR
Rohm Semiconductor
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RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RVQ040N05TR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RVQ040N05TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
RVQ040N05TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 87650

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Anzahl

Spezifikation

RVQ040N05TR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RVQ040N05TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 21V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 600mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer RVQ040  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RVQ040N05TR.

Produkteigenschaften RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
Artikelnummer RVQ040N05TR FQP6N60C SI4425DDY-T1-GE3 FQA19N20C
Hersteller Rohm Semiconductor onsemi Vishay Siliconix onsemi
Drain-Source-Spannung (Vdss) 45 V 600 V 30 V 200 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer RVQ040 FQP6 SI4425 FQA1
Supplier Device-Gehäuse TSMT6 (SC-95) TO-220-3 8-SOIC TO-3P
Vgs (Max) 21V ±30V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 10 V 810 pF @ 25 V 2610 pF @ 15 V 1080 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V 2Ohm @ 2.75A, 10V 9.8mOhm @ 13A, 10V 170mOhm @ 10.9A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 5.5A (Tc) 19.7A (Tc) 21.8A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie - QFET® TrenchFET® QFET®
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-3P-3, SC-65-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Verlustleistung (max) 600mW (Ta) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 180W (Tc)

RVQ040N05TR Datenblatt PDF

Laden Sie RVQ040N05TR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RVQ040N05TR - Rohm Semiconductor herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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