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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelRW1A025APT2CR
Rohm Semiconductor
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RW1A025APT2CR - Rohm Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
RW1A025APT2CR
Hersteller
LAPIS Technology
Allelco Artikelnummer
32D-RW1A025APT2CR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-SMD, Flat Leads
Datenblatt
RW1A025APT2CR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4190

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Anzahl

Spezifikation

RW1A025APT2CR Tech -Spezifikationen
Rohm Semiconductor - RW1A025APT2CR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Rohm Semiconductor - RW1A025APT2CR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 6-WEMT  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 400mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)  
Grundproduktnummer RW1A025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Rohm Semiconductor RW1A025APT2CR.

Produkteigenschaften RW1A025APT2CR RW1A030APT2CR RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R
Artikelnummer RW1A025APT2CR RW1A030APT2CR RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R
Hersteller Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V 2700 pF @ 6 V 770 pF @ 6 V 110 pF @ 10 V
Grundproduktnummer RW1A025 RW1A030 RW1A020 RW1C015
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 6.5 nC @ 4.5 V 1.8 nC @ 4.5 V
Serie - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT
Verpackung / Gehäuse 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 42mOhm @ 3A, 4.5V 105mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) -8V -8V ±10V ±10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta) 3A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V 12 V 12 V 20 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 400mW (Ta) 700mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)

RW1A025APT2CR Datenblatt PDF

Laden Sie RW1A025APT2CR PDF -Datenblätter und Rohm Semiconductor -Dokumentation für RW1A025APT2CR - Rohm Semiconductor herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2021.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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